ゾル・ゲル法によるSiO2薄膜の合成と分子構造解析

前川　幸子  奥出　幸二郎  大石　知司  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J76-C2   No.12   pp.776-781
発行日: 1993/12/25
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Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 論文
専門分野: 材料
キーワード: 
ゾル・ゲル法,  29Si固体NMR,  ラマン分光,  

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あらまし: 
ゾル・ゲル法でSiO2薄膜を作製し，膜厚，耐ふっ酸エッチング性，ビッカース硬度など膜の性能，および分子構造に及ぼす熱処理の効果を調べた．その結果，熱処理温度が高いほど，膜の耐エッチング性，硬度は向上するが，これは膜のち密性，および膜中の水分量に関連していることがわかった．29Si固体核磁気共鳴（29Si固体NMR），ラマン分光法による分子構造解析から，熱処理温度の上昇によって，溶液反応で生成した屈曲した不安定なSi-0-Si結合が切断され，直線的で安定なSi-0-Si結合に再結合することがわかった．膜中の直線的なSi-0-Si結合が多いほど，膜の硬度，およびち密性が向上する．