ECRスパッタ装置を用いて成膜したZnO膜の圧電的特性

門田 道雄  笠次 徹  皆方 誠  

誌名
電子情報通信学会論文誌 A   Vol.J76-A   No.2   pp.138-144
発行日: 1993/02/25
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DOI: 
Print ISSN: 0913-5707
論文種別: 特集論文 (移動体通信用弾性表面波機能素子論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
ECR,  ZnO,  SAW,  成膜,  電気機械結合係数,  

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あらまし: 
ECR(Electron Cycroton Resonance)スパッタ装置を用いてZnO圧電膜の成膜を試みた.この装置を用いれば,低温(基板加熱なし~200℃),低ガス圧(~10-4Torr)の条件のもとで,IDT(くし型電極)/ガラス基板上に,1010~1011Ωcmの比抵抗,標準偏差σ=0.19°のc軸配向をもつZnO圧電膜が成膜できることがわかった.このZnO膜を用いたSAW特性は,従来型のスパッタにより成膜されたZnO膜によるSAW特性と比べて,良好なSAW特性(特に高周波帯において顕著)と,良好な電気機械結合係数(シングル電極においてFEMによる理論値の94%)を示すことが明らかになった.また基板加熱なしで成膜されたZnO膜において,700MHzのレイリーSAW基本波を初めて励振することができた.