光CVD法によるシリコン酸化窒化膜の太陽電池への応用

柴田　登  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J75-C2    No.2    pp.78-84
発行日: 1992/02/25
Online ISSN: 
DOI: 
Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
光CVD法,  シリコン酸素窒化膜,  シリコン太陽電池,  反射防止膜,  

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あらまし: 
NH3ガスと5％SiH4ガス（95％N2バランス）ガスを用いて，低圧水銀灯を用いた水銀増感光CVD法により，基板温度100～300℃でシリコン酸素窒化（SiNXOY）膜を堆積した．プラズマCVD法にくらべ膜質の向上，界面の改善が考えられる反面において，膜質の経時変化が低温生成の場合大きく，安定性に問題があることがわかった．ESCA分析よりこれは空気中の酸素元素が膜内へ侵入し，その結果，膜質の組成変化がおこり，経時変化していることを明らかにした．更に光CVD法とプラズマCVD法により生成したSiNXOY膜を単結晶Si太陽電池の反射防止膜として応用した場合，太陽電池特性の短絡電流密度および実用変換効率の改善率において光CVD法が優れていた．これは反射機構のちがいにより，界面の改善の結果であることを示している．