MOVPE選択成長と半導体光集積回路への応用

佐々木 達也  山口 昌幸  加藤 友章  阪田 康隆  浅野 英樹  北村 光弘  水戸 郁夫  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J75-C1    No.5    pp.387-395
発行日: 1992/05/25
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Print ISSN: 0915-1893
論文種別: 特集論文 (多次元光回路技術の発展論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
光集積回路,  半導体レーザ,  光変調器,  波長多重,  選択成長,  

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あらまし: 
半導体レーザなどの光デバイスを集積した,半導体光集積素子の研究開発が活発に行われている.本論文では,はじめに波長1.55μm帯の高密度波長多重(WDM)光通信用集積化光源を作製し,評価を行った結果について述べる.波長可変半導体レーザと半導体光変調器,および合波器を集積した4チャネルアレー光源を作製し,2.5Gbit/s高密度WDM光伝送システムに適用可能であることを示す.この光集積素子の製作法についての問題点を分析し,より作製方法に優れた,MOVPE選択成長による量子井戸構造のバンドギャップエネルギー制御技術を開発したことについて述べる.この技術を用いれば,従来複雑な工程によっていた,バンドギャップエネルギーの異なる導波路の結合構造を1回の結晶成長で形成することが可能となる.これにより素子製作が容易になると共に,集積素子間の極めて高い導波路結合効率が得られる.応用例として実際に波長可変レーザや,DFBレーザと半導体光変調器の集積化光源を試作し,波長可変特性や消光特性を確認した.従来複雑な製法によっていた半導体光集積回路を容易に作製でき,素子の高集積化へ展開できることを明らかにした.