SiN膜装荷による薄膜導波路形偏光素子

加藤 勇  森 一富  佐藤 甲癸  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J75-C1   No.10   pp.630-637
発行日: 1992/10/25
Online ISSN: 
DOI: 
Print ISSN: 0915-1893
論文種別: 論文
専門分野: 光エレクトロニクス
キーワード: 
薄膜導波路形偏光素子,  複素屈折率,  消光比,  挿入損,  SiN薄膜,  

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あらまし: 
半導体膜装荷による薄膜光導波路形偏光素子の装荷膜として,いかなる値の複素屈折率ncnc′-jnc″をもつ膜が最適であるのかを検討した.導波光としては,Arイオンレーザの波長0.5145μmを対象とした.スラブ近似のシミュレーションの結果をもとに,装荷膜としてSiN膜を採用して実験的検討を行った.nc″の異なる5種類(nc″=0.02,0.07,0.12,0.16,0.23)のSiN膜を導波路幅20μmの3次元形高分子薄膜光導波路に装荷し,各nc″ごとにTE-TMモード導波形偏光素子としての特性を求めた.その結果,TEモード透過偏光素子にはnc″=0.16が最適であることが明らかとなり,薄膜光導波路形偏光素子として,消光比27dB,挿入損6dBという良好な実験結果を得た.また,TMモード透過偏光素子にはnc″=0.07が最適であることが明らかとなり,消光比26dB,挿入損2dBという良好な実験結果を得た.