スパッタ法によるCuInSe2多結晶膜の特性

矢野 満明  横瀬 久和  越智 秀  角 修吉  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J73-C2   No.4   pp.270-276
発行日: 1990/04/25
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Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
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あらまし: 
スパッタ法でCuInSe2多結晶膜を作製し,成膜時のプラズマ衝撃と成膜後の熱処理が膜質に及ぼす効果を検討した.その結果,ある程度のプラズマ衝撃は成膜中の実効表面温度を上昇させ結晶性の改善に寄与すること,熱処理は膜中のひずみ応力を低減させ結晶粒径の増大をもたらすこと,を明らかにした.化学量比に近いすべての膜は(112)面に強く配向した0.2~0.3Ωcmのp形伝導膜で,バンドギャップエネルギーは1.0eVであった.なお,これら結晶性の評価方法としてラマン分光分析が有用であることも示されている.