GaAs系進行波形方向性結合器光変調器の設計,試作,実験

林 秀樹  多田 邦雄  高橋 芳浩  石川 卓哉  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J73-C1   No.10   pp.627-635
発行日: 1990/10/25
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Print ISSN: 0915-1893
論文種別: 論文
専門分野: 光エレクトロニクス
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あらまし: 
GaAs系方向性結合器形(分布結合ガイド形)光変調器をより高速化するために,進行波形電極を採用した素子の設計・試作を行った.集中定数動作のときと同じ層構造のものを進行波動作させた結合部長1cmの素子は,遅波モードの影響を受け,また厚いn+基板層による大きな誘電体損のため,変調帯域は300MHzにとどまった.遅波モードと誘電体損の影響を小さくするためにはn+層の厚さを薄くすればよいことを見いだし,これを半絶縁性の基板上に実現するための新しい構造の素子を提案した.分子線エピタキシ成長による基板を用いて試作した結合部長8mmの1.06μm光用素子でスイッチング電圧10.4Vを得た.また,3dB変調帯域幅は9.1GHzと測定された.これらの値を以前の集中定数形デバイスと比べると,変調帯域幅対スイッチング電圧比にして10倍以上に改善されたことになる.