DC-SQUIDにおけるノイズ特性の解析

松田 瑞史  栗城 真也  又地 淳  長谷川 英機  濱崎 勝義  山下 努  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J72-C2   No.2   pp.148-157
発行日: 1989/02/25
Online ISSN: 
DOI: 
Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 論文
専門分野: 超伝導エレクトロニクス
キーワード: 


本文: PDF(833.7KB)>>
論文を購入




あらまし: 
DC-SQUIDデバイスの低周波ノイズについて,その特性を数値計算によるシミュレーション解析と測定結果の両面から検討した.シミュレーションの結果に基づいて新しく考案された,交流駆動方式(acバイアス方式)を用いてSQUIDの低周波ノイズを,二つの接合パラメータが非対称にゆらぐことに起因する成分と,SQUIDリングを貫く磁束の変動とに分離し,評価を行った.その結果前者においては,その大きさがインダクタンス値に強く依存すること,トンネル接合以外のタイプのジョセフソン素子をもつSQUIDにおいてもその値が比較的大きいことが明らかとなった.また後者については,その大きさがパラメータゆらぎノイズと同程度であること,主にトラップされた磁束に起因することがわかった.