粒界空乏層変調モデルによる外結晶シリコン薄膜トランジスタの動作シミュレーション

篠原 俊朗  浅田 邦博  菅野 卓雄  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J72-C2   No.10   pp.919-926
発行日: 1989/10/25
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Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
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あらまし: 
多結晶シリコン薄膜トランジスタの応用が広がるにつれ,その動作機構についての研究も数多くなされてきている.しかし,物理的機構に基づき,実験結果とよく合い,かつコンピュータの計算期間,使用メモリの点で実用的なモデルはまだない.本論文では,この三つの条件を満たすモデルを得ることを目的として,多結晶シリコン粒界に形成される電位障壁分布の形状の決定に物理的機構に基づいた近似を用いることにより,フィッティングパラメータが二つだけの,実用的なモデルを提案した.更に,Pチャネル蓄積層型多結晶シリコン薄膜トランジスタを製作し,その静特性および静特性の温度依存性,チャネル長依存性と,モデルによる計算結果を,薄膜トランジスタのオフ状態からオン状態のバイアス条件下で比較することにより,モデルの妥当性を示した.