有機金属気相成長法によるGaAs再成長界面の評価

池田 英治  長谷川 英機  大野 英男  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J71-C   No.1   pp.46-52
公開日: 1988/01/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
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あらまし: 
エピタキシャル成長において,成長を一時中断し,種々のプロセスを施した後,再成長を行う方法はデバイス製作の自由度を増す.本論文は,再成長の基礎として,MOVPE法によるGaAs再成長界面の性質を実験的に検討し,考察を加えたものである.基本的な三つの再成長プロセスを取り上げ,C-Vキャリヤプロファイル,DLTS測定,I-V測定により評価を行い,以下の結果を得た.(1)成長炉内で成長中断後再成長すると,界面でキャリヤの蓄積が生じる.これは/比の過渡的変動によるもので,ガス流を工夫することにより避けられる.(2)長時間空気にさらした後再成長すると,空乏/蓄積あるいは蓄積のみのプロファイルが得られる.これは,エネルギー的に連続した界面準位の形成という新しいモデルで説明できる.また,この界面準位の成因は筆者らが提案している界面の統一DIGS(Disorder Induced Gap State)モデルで説明される.(3)アセトンに浸した後再成長すると,吸着炭素に起因する空乏プロファイルが認められる.