真空蒸着膜を用いたInP MIS形電界効果トランジスタの試作

高木 信一  菅野 卓雄  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J70-C   No.5   pp.625-630
公開日: 1987/05/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 特集論文 (-族半導体デバイスと集積回路特集)
専門分野: プロセス・デバイス
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あらまし: 
InP基板に真空蒸着法によりSiOおよびZnSをたい積し,更にAl電極を真空蒸着により形成して,InPと絶縁物の界面特性を実験的に検討した.n型InP上に作成したMISダイオードのC-V特性から,界面準位密度の最小値で5×1011cm-2eV-1の値が得られた.また,100~200℃のアニールがヒステリシス・界面準位の改善に有効であるあることが判明した.次いで真空蒸着SiO,ZnSをゲート絶縁膜とするInP MIS形電界効果トランジスタの試作を行い共に良好な電界効果トランジスタ静特性が得られ,線形領域から算出した実効移動度は,SiOの場合半絶縁性基板上で最大3100cm-2/V・s,p型基板上で1400cm-2/V・s,ZnSの場合半絶縁性基板上で1800cm-2/V・sと比較的大きな値が得られた.また素子の移動度はイオン注入の活性化アニール温度の影響を受け,活性化温度を660℃から700℃に上げると移動度の減少が見られたが,これはチャネル中のクーロン散乱体の増大によるものと考えられる.