半導体量子効果デバイスの展望

荒川 泰彦  生駒 俊明  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J70-C   No.5   pp.592-602
公開日: 1987/05/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 招待論文 (-族半導体デバイスと集積回路特集)
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あらまし: 
本論文では,半導体井戸構造等における量子効果を利用した最近の電子デバイス,光デバイスについて,その性能および新しい概念の可能性を論じている.まず,多層超薄膜へテロ構造の電子状態の物理について論議する.次に,このような構造を用いたデバイスとして代表的なHEMTおよび量子井戸レーザについて概観したのち,量子井戸構造を伴う幾つかの機能デバイス,すなわち共鳴トンネルデバイス,励起子効果量子井戸デバイス,実空間遷移デバイスなどの原理について述べる.また,最近,注目を集め始めている量子井戸細線,量子井戸箱構造を伴うデバイスの可能性について述べ,このような多次元にわたる極微構造が今後にわたってますます重要になることについて論ずる.