GaAS-ICの現状と展望

藤本 正友  菅田 孝之  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J70-C   No.5   pp.583-591
公開日: 1987/05/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 招待論文 (-族半導体デバイスと集積回路特集)
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あらまし: 
GaAs-ICは,GHz以上のマイクロ波モノリシックIC(MMIC)およびGb/s以上の超高速ディジタルICとして研究開発が進展しており,マイクロ波・ミリ波通信機器,超高速ディジタル通信機器,超高速計算機,超高周波・超高速計測機器に応用されて行くことが期待されている.最近,放送衛星用10GHz帯MMICやGb/s以上の小規模のICなどが市販される段階に達した.本論文では,GaAs IC用デバイス・プロセス・結晶技術,超高周波MMIC,超高速ディジタルLSIの現状と将来展望について述べる.現在,Si-ICもサブミクロン微細加工技術の進歩とともにその高性能化が進展し,GaAs-ICと競合し得る分野もある.また,GaAs-ICの次期デバイスとしての高移動度FET(HEMT,MIS-FETなど),ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)などのヘテロ接合デバイス技術も立ち上がりつつある段階である.この機会に各デバイスの性能の相互比較を行い,GaAs-ICの位置付け,今後の展望につても言及する.