境界要素法を用いた半導体素子の空乏層境界決定法

小野 記久雄  内藤 正美  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J69-C   No.5   pp.695-697
公開日: 1986/05/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 技術談話室
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半導体素子の空乏層境界の位置を境界要素法(BEM)で解く手法を示す.数値計算例として,解析領域に空気層や誘伝体層を含むPNダイオードを取り上げ手法の妥当性を検討した.