GaAs広帯域モノリシックスイッチ

山尾 泰  菅田 孝之  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J68-C   No.3   pp.163-170
公開日: 1985/03/25
Online ISSN: 
DOI: 
Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
専門分野: 集積エレクトロニクス
キーワード: 


本文: PDF(936.8KB)>>
論文を購入




あらまし: 
GaAs FETをアナログスイッチとして用いた高周波スイッチは広帯域動作が期待でき,モノリシックIC化も容易である.しかもゲートバイアスのみの単一電源で動作し,スイッチの消費電力が零にできるので,特に小形化・低消費電力動作が要求される分野への適用が期待される.本論文では広帯域GaAsモノリシックスイッチの可能性を検討するため,まずFETの構造モデルからスイッチの等価回路モデルを導き,FETの素子定数等とスイッチの諸特性との関係を明らかにし,スイッチの設計法を示した.次にSPDT及びDPDT構成のモノリシックスイッチをイオン注入法により作製してその特性を評価し,等価回路モデルの妥当性を確認した.この結果,SPDT構成においては通過帯域DC~3.3GHz,挿入損失0.7dB以下(DC~2GHz),アイソレーション20dB以上,切替時間2ns,無ひずみ最大信号入力電力+20dBmの特性を持つGaAsモノリシックスイッチを実現した.またDPDT構成においてもこれに準ずる良好な特性が得られた.