抵抗負荷形CMOS連想メモリセルの直流特性

吉田 正廣
川路 昭
米山 正雄
内海 俊晴

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J66-C    No.7    pp.521-527
公開日: 1983/07/25
Online ISSN: 
DOI: 
Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
専門分野: 
キーワード: 


本文: PDF(511.5KB)>>
論文を購入



あらまし: 
半導体連想メモリセルは,通常のRAMセルが有する機能に加えて,入力情報と記憶情報とを照合するための機能を必要とする.このため,このセルはRAMセルよりも1ビット当りの素子数が多くなり,集積化する場合にセル面積が増大するという問題がある.本論文では,従来のものよりも1ビット当りの素子数が少なく,集積化に適した新しい抵抗負荷形CMOS連想メモリセルを提案した.また,状態図法という解析手法を用いてこのセルの直流解析を行い,連想メモリセルとして動作させるための負荷抵抗の条件式を求め,記憶特性について検討した.更に,書き込みの際の転移条件を明らかにすると共に書き込み電圧を求め,書き込み特性について検討した.次に読み出し特性について検討し,最後に照合特性について検討した.また,本論文での解析結界は実験と比較的よく一致した.