抵抗負荷形MOS連想メモリセルの記憶特性と書込み特性

吉田 正廣
川路 昭
米山 正雄
内海 俊晴

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J66-C    No.4    pp.343-344
公開日: 1983/04/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 技術談話室
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あらまし: 
抵抗負荷形MOS連想メモリセルの記憶特性と書込み特性を状態図法によって解析し,設計に有用な結果を得たので報告する.