Auto/Self Refresh機能内蔵64Kbit MOSダイナミックRAM

山田　通裕  谷口　真  小林　稔史  熊野谷　正樹  中野　隆生  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J66-C    No.1    pp.62-69
公開日: 1983/01/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
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あらまし: 
従来，MOSダイナミックRAMを使用する上で不可欠なリフレッシュ操作が，スタチックRAMに比較してMOSダイナミックRAMを使いにくいものにしていた．一方，MOSダイナミックRAMの多機能化と共に，もしリフレッシュ制御端子が与えられるならば内蔵化が可能なものとしてオートリフレッシュとセルフリフレッシュの機能がある．64KビットMOSダイナミックRAMでは基板バイアス回路を内臓化すれば，1ピンをリフレッシュ制御端子にすることが可能となる．この1ピンによるオートリフレッシュとセルフリフレッシュ機能を内蔵する上での回路上の問題点を，オンチップでリフレッシュアドレスを提供するカウンタと，セルフリフレッシュ時に使われるタイマを中心に検討した．その結果，オートとセルフのリフレッシュ機能を内蔵したことによるチップ面積の増分が1.6％，スタンドバイ電流の増分が0.3mAであり，64KビットMOSダイナミックRAMとして実用レベルのものを実現できたことを示す．