電子ビームリソグラフィーにおいてSi-SiO2界面に生じる照射損傷

菅野 卓雄  葉   

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J64-C   No.3   pp.188-195
公開日: 1981/03/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
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あらまし: 
25keVのエネルギーを有する電子ビームを用いたリソグラフィーによってSi-SiO2界面に発生する捕獲中心の状態密度をDLTS法で測定した結果,電子ビームレジストの膜厚によって変化しないことが判明した.又,2keVのエネルギーの電子ビームを照射した場合にアルミニウム電極から放出される特性X線Kαの照射効果が大きいことが見い出された.これらの照射効果によって新たに生じた界面捕獲中心は未照射のときに存在していたものが単に量的に増大したものとは考え難く,又その発生機構として,界面における正孔の捕獲が関与していることが明らかになった.電子ビーム照射により発生した界面捕獲中心は不活性ガス中で800℃のアニーリングを行っても消滅しないが,水素ふん囲気中では400℃30分間のアニーリングでこれはいったん消滅するものの,中性ふん囲気で先のアニーリング温度以上の温度で更に加熱すると界面捕獲中心は再び現れる.しかし,4塩化炭素ふん囲気中で800℃1時間のアニーリングを行った場合に消滅した捕獲中心は,1,000℃の加熱を行っても再び現れることはないことが判明した.