ダイナミックMOS RAMの内部基板電圧発生回路

下酉　和博
藤島　一康
益子　耕一郎
山田　通裕
中野　隆生

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J64-C    No.11    pp.769-776
公開日: 1981/11/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
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あらまし: 
5 V単一電源ダイナミックMOS RAMの基板電圧発生回路の特性と，基板電圧の変動，低下がRAMの電気特性，性能に及ぼす効果を調べた．基板電圧の変動は主にビット線容量と基板容量の容量結合で発生する．RAMの正常動作領域を拡大するためには，変動を小さくすることが効果的であるが，この目的でチップ内に平滑コンデンサを設けるとビット線-接地間容量が増し，センスアンプ感度が悪くなる．又，チップ外部から基板電圧を与えると配線の自己インダクタンスと基板容量で自由振動を起し基板電圧を大きく変動させる．このため基板電圧を外部から与えるときには，この変動およびセンスアンプ感度の低下を考慮して評価をする必要がある．更に，高電圧動作では基板電圧が浅くなりRAMの破壊電圧を低下させる．これは種々のデバイスパラメータによる評価から，衝突電離によって発生した正孔電流を基板電圧発生回路の充電電流が補償しきれないためである．