液相エピタキシアル法による不純物ドープGaAs高抵抗層の作製

小島 清明  長谷川 英機  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J63-C   No.11   pp.766-773
公開日: 1980/11/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
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液相エピタキシアル法により良質なGaAs高抵抗層を作製する目的で,Fe及びCrをドープしたGaAsの結晶成長条件,電気的振舞,ことに高抵抗となる条件に関し,理論的および実験的に詳細な検討を加えた.その結果,Feドープの場合には,あまり厳しくない成長条件で抵抗率が104 Ω・cm以上で且つ表面モホロジーの良好な高抵抗層が再現性よく作製できることが判明した.高抵抗が得られる機構に関して,抵抗率の温度依存性の理論計算および実験,光容量法とDLTS法によるトラップの検出を行った結果,FeがLPE層中で価電子帯上0.47 eVに単一の深いアクセプタ準位を形成することに起因することが確認された.一方,Crドープの場合にも高抵抗層は得られたが成長条件が非常に厳しく再現性に乏しい.又,Crドープ層の抵抗率は複雑な温度依存性を呈し,1種類の深いアクセプタ準位を考えたのでは,全くこれが説明できないことを示した.