GaAs陽極酸化とマイクロ波帯MOS電界効果トランジスタへの応用

徳田 博邦  安達 芳夫  生駒 俊明  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J62-C   No.8   pp.580-587
公開日: 1979/08/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
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あらまし: 
GaAsを電解液中で陽極酸化し,その膜の性質,界面特性をC-V,DLTS法などを用いて調べた.又,これをゲート絶縁膜とするマイクロ波用GaAs MOS FETを試作し,その特性を明らかにした.膜は均一で,抵抗率,絶縁破壊電界共に大きい.界面には,1013cm-2eV-1程度の界面電荷が酸化膜中約20以上の深さまで分布しており,これがC-V特性に影響を及ぼすことが判明した.GaAs MOS FETは,低周波ではgmは小さいが,高周波では良好な特性を示し,最大発振周波数22GHz,雑音指数6.1dB(8GHz)が得られた.