LSIメモリにおける動作マージン不良の診断方法

浜口 重建  石川 浩司  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J62-C   No.8   pp.542-549
公開日: 1979/08/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
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あらまし: 
メモリ回路設計の最適化を図る上で,動作マージン不良の診断・解析は重要な課題である.本論文では,半導体メモリを対象として,多重不良も扱える実用的な動作マージン不良の診断方法を提案する.多重不良のすべての組合せを扱うことは不可能に近いことから,第1に多重不良を単一不良に分離し,次に各単一不良の位置を求めることが最適である.そこで,メモリ素子の各回路ブロックが固有の動作タイミングを持つことに着目し,電源電圧などのテスト条件をパルス的に変化させることにより,多重不良を時間的に分離した.又,従来のテストパターンに2レベルのテスト条件を加えたテストパターン構成により,不良のモード分けを行った.これらの方法により,多重不良の分離とそれにより得られる単一不良の位置の検出が独立に構成できることを明らかにし,具体的なテストパターン,診断フローの構成を示した.1トランジスタ形MOS RAMへ適用させた結果,不良モードに対応した十分実用的な分解能が得られた.