複合半導体デバイスの数値解析法

桜井 貴康  柳井 久義  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J62-C   No.1   pp.62-69
公開日: 1979/01/25
Online ISSN: 
DOI: 
Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
専門分野: 
キーワード: 


本文: PDF(637.9KB)>>
論文を購入




あらまし: 
本論文は,複合半導体デバイスの端子特性の汎用的かつ実用的な数値解析法の一つの提案で,デバイスを幾つかの部分に分割し,それらに半導体現象を支配する微分方程式に立ちもどった非領域的な扱いを施すと同時に,これらを回路的に結合して端子特性を表現するというものである.各部分の取扱いには3次元効果をある程度考慮した変形1次元モデルを提案し,これを用いて実際に実用的なプログラムを作成した.更に,I2Lを例にとって,DC特性の範囲で数値解析を行い,実測と比較検討した結果,広い注入水準の範囲にわたって定性的な傾向のみならず定量的にもかなり良くその特性を説明でき,又,動作時の内部状態の変化を知ることができた.本解析法は,物理および構造パラメータを入力することにより端子特性と同時に内部状態も計算できる.