ヘテロ接合光ダイオードの量子効率と高速応答特性に関する一考察

酒井 士郎  梅野 正義  戸部 美春  雨宮 好文  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J62-C   No.10   pp.676-681
公開日: 1979/10/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
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あらまし: 
波長1.0~1.7μm帯での光通信用光検出器として有望視されているInGaAsP/InPダブルへテロ構造光ダイオードの量子効率と応答時間を計算し,高い感度と速い応答をもつ光ダイオードの設計指針を明らかにした.光励起された少数キャリヤの輸送方程式の定常解より量子効率を求め,過渡解より応答時間を求めた.その結果4元層厚3~4μm,接合深さ1μmのダブルへテロ構造光ダイオードの量子効率が最も高く,そのダイオードの応答時間は約50psであることが分かった.接合深さを適当に選ぶことにより応答時間を少数キャリヤ寿命の1/100程度にすることができる.4元層厚が光の吸収長より長い場合は量子効率を高くする条件と,応答時間を短くする条件はほぼ一致する.ここで得られた結果は,物質定数を変えることにより他の物質のヘテロ構造光ダイオードにも適用できる.