GaAsプレーナデバイスの動作層に対する界面トラップの影響

谷本 正幸  伊東 朋弘  御代 時博  生駒 俊明  柳井 久義  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J61-C   No.4   pp.227-234
公開日: 1978/04/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
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あらまし: 
ガン効果ディジタルデバイスやGaAs電界効果トランジスタなどのGaAsプレーナデバイスでしばしば低周波で測定した電流-電圧特性にヒステリシスが観測され,又,バイアス電流がドリフトするなどの異常現象が観測されるが,この原因はまだ明らかにされていない.本論文では,これらの異常現象がエピタキシャル層と基板界面に局在する電子トラップに基づくものであることを実験的,理論的に明らかにし,どのような性質のトラップがこのような異常現象に最も強く影響を及ぼしているかを明らかにする.実際に測定したデバイスでは,これらのトラップは,界面から基板側へ0.1~1.0μm以内の狭い領域に分布し,その単位面積当りの密度は1011~1012cm-2程度,また伝導帯の底から測って0.60~0.65eV付近の深いエネルギーレベルを持つものであることが分かった.