半導体レーザの高速直接変調特性―多モード動作の効果―

矢野 光博  関 浩一  神谷 武志  柳井 久義  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J60-C   No.9   pp.561-568
公開日: 1977/09/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
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あらまし: 
半導体レーザの直接変調をG-bitあるいはマイクロ波領域において行い,この応答特性およびその動作点依存性を周波数応答特性を校正したシリコンアバランシュホトダイオードを用いた受光回路系を使用し,同一の製造方法と構造を持った数個の試料を利用して小振幅動作において実験的に詳細に検討した.その結果,緩和振動現象についてはその減衰時定数が現在予測されている値よりかなり短くなること,発振モード数の多い試料ほどこれが短くなること,動作バイアスレベルの上昇と共に短くなること,注入キャリヤの過渡時における横方向への拡散現象が減衰に影響を与えているとみられること,多モード発振レーザについてはモード間の競合が減衰を強めているとみられることなどの事実が観測された.