ガン効果ディジタルデバイス電流-電圧特性の直流バイアス異常現象

谷本　正幸  鈴木　幸治  伊東　朋弘  柳井　久義  L.M.F.カウフマン  W.ニーベンディック  K.ハイメ  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J60-C   No.11   pp.698-705
公開日: 1977/11/25
Online ISSN: 
DOI: 
Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
専門分野: 
キーワード: 


本文: PDF(662.3KB)>>
論文を購入



あらまし: 
プレーナ形ショットキーゲートガン効果ディジタルデバイス（SBG-GEDD）を直流バイアスで動作させた場合，パルスバイアス時にはみられない種々の異常現象を示す．これらの現象のうち特に異常現象が明りょうに現れるデバイスの電流-電圧特性の変化に着目し，種々のバイアス条件下で実験的に詳細に検討し解析を行った．その結果，これらの電流-電圧特性の変化が，基板を通って流れる電流による基板界面基板側での局在した負電荷の蓄積とこれによるn層中での空乏層の広がりにより生じていると考えられることが分かり，又，これを幾つかの材料より試作されたデバイスについて検討した結果，負電荷の蓄積は界面から1 μm以内の場所に局在しており，面密度は1011～1012 cm-2程度であることが明らかとなった．更にこれらの結界から，異常現象を改善する方法を示した．