PCDにおけるプラズマ結合現象の解析

山本 庸介  鈴木 敏正  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J60-C   No.10   pp.602-609
公開日: 1977/10/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
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プラズマ結合形デバイス(PCD)はコンダクタンストランジスタ(CDT)やフック付コンダクタンストランジスタ(HCDT)などの単体要素をモノリシックに半導体基板上に構成した新しい半導体機能デバイスである.PCDは本質的に多次元デバイスであり,従来解析は大変困難であるとされていた.ここではプラズマ結合現象の解析法の1つとして結合抵抗,電流増幅率,分流率なる3つのパラメータを導入することにより,集中定数的な解法が可能であることを提案し,これを簡単な理論と実験により説明した.更に複数の基本要素がプラズマ結合し合っている場合にはその結合強度を考えるのに重ね合せの理が適用できることを実験的に確かめ,これを利用してプラズマ結合特性を一般的に表現する式を得ることができた.又,プラズマ結合は大きく分けて電界結合状態と電荷結合状態なる2つの結合状態に分けられること,プラズマ結合特性にはこの2つの結合状態に対応した互いに不連続な2つの領域が存在するほか,この両方の状態を共に取り得る領域,メモリ領域が存在するデバイスを設計することもできることなどが分かった.