IEICE Trans - MOS容量の時間応答の解析

MOS容量の時間応答の解析

吉田　実菅野　卓雄

誌名
電子情報通信学会論文誌 C Vol.J59-C No.8 pp.475-482
公開日: 1976/08/25
Online ISSN:
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
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あらまし:
本論文ではシリコン基板内空間電荷層内でのキャリヤ発生およびSi-SiO₂界面でのキャリヤ発生についてShockley-Read統計を適用し，MOS容量の階段波電圧に対する時間応答からZerbstの関係式を誘導した結果，キャリヤの発生寿命を与える直線部分のほかに，指数関数的な初期過渡応答が存在し，その時定数から，やはりシリコン基板内およびSi-SiO₂界面のキャリヤ発生に関する時定数が測定されることが明らかになった．更に基板のオーム接触より少数キャリヤの注入による電流密度を検討し，良好なオーム接触の場合にはショットキー放出で決まり，少数キャリヤの電流密度は～10^-12Amp/cm²と見積られ，Zerbst曲線におけるその影響は無視できることが判明した．