MNOSダイオード中のトラップ密度分布と書き込み,消去,および保持特性の解析

勝部 昭明  安達 芳夫  生駒 俊明  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J59-C   No.2   pp.99-106
公開日: 1976/02/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
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あらまし: 
熱刺激電流(TSC)法によって求めた,窒化膜(N)―酸化膜(O)界面に存在するトラップの性質を使うことによってMNOSデバイスの,書き込み,消去特性,および保持特性の解析を行った.その結果,TSC法で求めたトラップの密度分布,電荷転送の時定数などは,MNOSデバイスのメモリ特性をよく説明できるものであることが明らかとなった.このモデルの特徴は,N-O界面のトラップに捕獲された電子が,熱的な励起を伴って,シリコンの伝導帯へ放出されることを考慮した点にある.又,電子の捕獲過程も,この逆過程として説明される.このモデルでは,従来明らかにされていなかった保持特性の温度依存性をよく説明できる.又,本実験に用いたMNOSデバイスでは,トラップは,窒化膜の伝導帯から測って,2.54evの近くに,ほぼ単一レベル,N-O界面から窒化膜中に約50の深さまで密度4×1019cm-3で分布していることが分かった.