GaAs-SBG・FETの電子速度飽和領域を考慮した設計理論

菅田 孝之  井田 雅夫  内田 正夫  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J59-C   No.2   pp.107-114
公開日: 1976/02/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
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あらまし: 
速度飽和領域を考慮した新しい解析モデルにより,GaAs-Schottky Barrier Gate-FETの動作解析を行い,素子の材料定数や幾何学定数と等価回路定数や超高周波特性との関連を明りょうにし,GaAs-FETの最適設計方法を明らかにした.更にゲートメタル抵抗や電極抵抗などの寄生素子の低減によりマイクロ波性能の改善される様子を定量的に明らかにした.又,マイクロ波性能のバイアス依存性が連続的には握できるようになった.次に,試作1μmゲート長GaAs-FETのマイクロ波特性およびそのバイアス依存性などの実測を行い,その実測結果と解析結果との比較検討をした.試作GaAs-FETの最高発振周波数fmax,しゃ断周波数fTはそれぞれ40GHz,8.5GHzであるが,ゲートパッド容量やゲートメタル抵抗などの寄生抵抗の低減により,fmaxは50GHz以上,fTは10GHz以上になると類推できる.又,解析結果の予測では,理想的なn-GaAs薄層を用いれば,1μmゲート長GaAs-FETでfTは16GHz,fmaxは65GHz,最小雑音指数NF0は10GHzで2.5dB程度の特性が得られる.