ガードリング付MOS容量の時間応答によるキャリヤ発生率の測定

吉田 実  菅野 卓雄  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J59-C   No.11   pp.715-722
公開日: 1976/11/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
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あらまし: 
著者らが前回報告した理論解析を基にし,階段波電圧を印加したMOS容量の時間応答からシリコン基板内空間電荷層中およびSi-SiO2界面でのキャリヤ発生率を分離測定し,基板内のキャリヤ発生寿命および界面でのキャリヤ発生速度を求め,更にキャリヤ発生率の温度依存性を測定することによりキャリヤ発生寿命を決定している捕獲中心の準位,捕獲中心の密度に関する情報が得られた.特に測定試料としてp形基板を用いた場合,ゲート周縁部にガードリング電極を付加することによりゲート周縁部からの少数キャリヤの注入を阻止し,バイアス条件,階段波振幅によらないキャリヤ発生の諸定数が測定されることが判明した.又,キャリヤ発生に関して空間電荷層中およびSi-SiO2界面での指数関数的に減衰する2項を除いたMOS容量の過渡応答について,回復時間とキャリヤ発生寿命との間の関係式を求め,回復時間よりキャリヤ発生寿命を推定できることを示した.