アモルファス半導体における位相回折格子形成の現象論的モデル

大越 孝敬  正村 達郎  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J58-C   No.3   pp.139-143
公開日: 1975/03/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文・資料
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アモルファス半導体は,消去可能な光学的メモリ材料として有望視されている.しかし,多くの研究にもかかわらず,その書き込み,消去の機構はいまだ解明されていない.本論文は,「書き込み」の機構を解明するための第一歩として,アモルファス半導体における位相回折格子形成の現象論的モデルを提案するものである.まず,アモルファス半導体の薄膜上に種々の位相回折格子を作製し,回折効率の露光量依存性を測定した結果を述べる.次にその測定結果をうまく説明できる現象論的モデルを提案する.そのモデルは,(1)屈折率変化Δnに飽和値Δnsが存在し,(2)時間dtに生じる屈折率変化dΔn)が(ΔnsΔn),照射光パワーP及びdtの積に比例する,という2つの極めて自然な仮定に基づくものである.このモデルは,回折効率の露光量依存性および屈折率分布形状に関する実験事実を良く説明する.