IEICE Trans - ガン効果ディジタル機能デバイスの実用上の問題に対する基礎的検討

ガン効果ディジタル機能デバイスの実用上の問題に対する基礎的検討

菅田　孝之谷本　正幸柳井　久義

誌名
電子情報通信学会論文誌 C Vol.J56-C No.2 pp.105-112
公開日: 1973/02/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文・資料
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あらまし:
ガン効果ディジタル機能デバイス（GEDD）に関する前に報告した2件の論文に引続き，本論文ではこのデバイスを信号処理機能デバイスとして実用化する際の問題点の基礎的検討を行なう．まずプレーナ形GEDDの実際の構造について検討し，つぎにこのデバイスの温度上昇や特性の周囲温度依存性，直流動作特性について検討し，従来報告されている結果も合わせて整理した．さらに実用上問題になる寄生素子効果，プレーナ構造に基づくパルス伝搬遅延，出力パルスのジッタなどについて基礎的検討を理論的，実験的に行なった結果を報告する．