ガン効果ディジタル機能デバイスによる信号処理

菅田 孝之  柳井 久義  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J55-C   No.9   pp.445-452
公開日: 1972/09/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文・資料
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あらまし: 
ガン効果ディジタル機能デバイス(GEDD)のディジタル信号処理機能デバイスとしての有用性を評価するため,1Gbits以上の超高速パルス伝送への応用として,単極および双極パルス簡易再生中継器,能動線路などを,組合せ論理デバイスへの応用として,しきい値論理基本エレメント,INHIBITORなどを,順序回路への応用として,遅延・記憶回路,シフトレジスタなどを少数のショットキーゲートGEDD(SBG・GEDD)と抵抗とで構成し,その動作実験を行ない,信号処理系統の大部分がSBG・GEDDにより簡単に構成できることを示す.つぎに,SBG・GEDDによりシステム構成する際にはしきい値論理に従った構成法が適していることを加算器,計数器,比較器などの主要なサブシステムの構成例で示し,従来の高速トランジスタ回路よりも部品数において1/3~1/5程度まで回路が簡単化されることを示す.また回路構成上の問題点に対する基礎的な検討を行なう.このようなシステム回路構成の単純化と前回報告したこのデバイスの性能評価とから,1Gbits以上(パルス幅約0.5ns以下)のディジタル信号処理機能デバイスとして,従来のトランジスタやトンネルダイオードなどより適していることを明らかにした.