IEICE Trans - ガン効果ディジタル機能デバイスとその性能評価

ガン効果ディジタル機能デバイスとその性能評価

菅田　孝之柳井　久義

誌名
電子情報通信学会論文誌 C Vol.J55-C No.9 pp.437-444
公開日: 1972/09/25
Online ISSN:
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文・資料
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あらまし:
ガン効果ディジタル機能デバイス（GEDD）の有用性を評価するに必要な基礎資料を整えるため，まず，主要基本特性量（電界降下率k₀，電界トリガ性能指数α₀，etc．）の理論的，実験的な検討結果を示す．それを基礎にしてこのデバイスの素子性能を明らかにするとともに，目的とする素子性能を得るための設計手順，設計例を示す．その結果，素子性能のすぐれているショットキーゲート三端子GEDDは約100mA/Vのトリガ性能指数，約30dBの一方向性，高い入力インピーダンス，30～100psの応答速度，1～10pJの電力遅延時間積を持つことが明らかとなり，このほか多機能性，構造の簡単さを持ち，これらの点で現状のトランジスタIC，トンネルダイオードなどよりすぐれていて，パルス再生増幅デバイス，論理演算・制御デバイスとして適している．