コンダクタンストランジスタの特性

須藤 常太  児玉 秀雄  鈴木 敏正  水島 宣彦  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J55-C   No.11   pp.565-572
公開日: 1972/11/25
Online ISSN: 
DOI: 
Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文・資料
専門分野: 
キーワード: 


本文: PDF(827.2KB)>>
論文を購入




あらまし: 
n-n+接合によるキャリヤの蓄積を利用した新しいプレーナ形半導体素子を提案する.この素子は電力利得が少数キャリヤによる半導体の擬中性領域の伝導度変調によって得られることから「コンダクタンストランジスタ(CDT)」と名付ける.CDTはn形Siを使用し,基本的には三端子の負性抵抗素子で,その構造,特性は単接合トランジスタと類似しているが,通常の単接合トランジスタと比較してきわめて急しゅんな負性抵抗と低い保持電圧を有する.ここでは,まず素子構造,製作方法を示してから,試作した種々の構造および寸法パラメータをもつ素子の動作特性を述べる.つぎに,CDTの動作原理がn-n+接合による少数キャリヤの蓄積と,これによる広範囲の伝導度変調であることを,走査形電子顕微鏡およびSiにおける再結合発光を用いて確認した結果を述べる.最後に,CDTはその構造的,経済的理由から集積回路に適した素子であることから,その集積回路への応用の可能性およびキャリヤの蓄積を利用した新しい機能素子としての可能性などについて述べる.