ガン効果素子の光トリガ

木村　忠正  柳井　久義  神山　雅英  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J55-C   No.10   pp.497-504
公開日: 1972/10/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文・資料
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あらまし: 
GaAs半導体レーザの光パルスでガン効果素子をトリガし，最小0.8ns幅の単一パルスを強度約1mW，幅0.5nsの光パルスでトリガできたが，本論文では，この光トリガの機構，特性について理論的，実験的に検討を加えた．まず，プレーナ形ガン効果素子の陰極近辺を除く部分に光照射したときの暗部の電界強度の変化を簡単化したモデルで解析し，これから光トリガに必要な光強度を求め，実験結果にかなり近い結果を得た．また光トリガにより得られる単一パルスの幅と素子内の電子寿命との関係を理論的に考察し，光パルスに対する光電流の時間応答から実験的に求めた電子の寿命値を用いて最小出力パルス幅を計算すると，数ns以下の単一パルスの光トリガは不可能という結果が得られたが，実際には，高電界電気二重層が試料内を走行すると電子の寿命が短くなるために，1ns幅以下の単一パルスでも光トリガが実現できることを見い出した．