ガン効果を用いたディジタル素子のスイッチ特性

菅田 孝之  柳井 久義  生駒 俊明  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J53-C   No.4   pp.253-260
公開日: 1970/04/25
Online ISSN: 
DOI: 
Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文・資料
専門分野: 
キーワード: 


本文: PDF(765.3KB)>>
論文を購入




あらまし: 
本論文ではガン効果素子を用いたディジタル素子のスイッチ特性を明らかにすることを目的とする.まず前回報告した電気二重層の生成過程および消滅過程の近似解析結果をもとにしてガン効果ディジタル素子の過渡応答波形や応答速度を求めた.つぎに電気二重層の過渡状態における外側電界とその過剰電圧との関係で決まる軌跡の解析から,この素子をトリガするに必要なトリガパルスの波高値とその幅などについて解析し,これらと素子の材料定数との関係を明らかにした.またn形GaAs片の両端にオーミック電極を持ち,その中間にSchottky障壁のゲート電極を持つ構造のガン効果ディジタル素子において,応答波形の観測と陽極およびゲート電極からのトリガ特性の実験を行ない,解析結果の裏付けを行なうとともに,実験的にもこのようなディジタル素子のスイッチ特性を明らかにした.このような近似解析結果および基礎的な実験結果を適用すれば,ガン効果ディジタル素子およびそれを応用した各種の機能素子の一般的な特性や性能を見通し良く論ずることができる.