ヒステリシスをもつエサキダイオード・トランジスタ論理回路

喜田村 善一  寺田 浩詔  大村 皓一  橘 啓八郎  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J53-C   No.1   pp.31-38
公開日: 1970/01/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文・資料
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あらまし: 
エサキダイオードをトランジスタのコレクタ接合に並列接続した,基本回路の記憶素子としての機能を述べ,さらにこれから誘導される組合せ論理素子についても検討を行なっている.この基本回路は,エサキダイオード静特性に依存するヒステリシスを入出力特性にもつ.従来この回路はヒステリシス飛越し形の単純なしきい値論理素子として用いられてきた.ここではこのヒステリシス特性を積極的に利用して,新たな論理素子を実現することについて述べている.まず二安定記憶素子の実現方法とその論理機能を明らかにし,この記憶素子に遅延帰還を施して,組合せ論理素子を論理的に構成することを述べている.さらに,基本回路をこのようにして用いた場合の過渡応答について等価回路とアナログシミュレーションによる検討を行ない,過渡応答を中心とする回路の設計方針を与えている.