Si-SiO2系を媒質とする平行平板伝送路の特性

長谷川 英機  柳井 久義  

誌名
電子情報通信学会論文誌 B   Vol.J53-B   No.10   pp.567-575
発行日: 1970/10/25
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Print ISSN: 0373-6105
論文種別: 論文・資料
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あらまし: 
半導体集積回路で用いられるSi-SiO2系を媒質とする伝送線路の特性を無限幅近似により理論解析した.基本波(TM波)は実用される導電率と周波数の範囲で,遅波モード,Si中のTEMモード,表皮効果モード,の三つの主要な極限形態をもつ.各モードの限界をモードチャートの形で与えた.実用上最も重要と考えられる遅波モードに関しては,電磁界分布を考察し,無損失媒質中の伝搬とはまったく異なるその特異な伝搬形態を明らかにした.つぎに基本モード領域外の遷移領域における伝送特性を,実効誘電率・実効透磁率の緩和過程の観点から解析した.最後にエピタキャル層を含む三層構造に関し簡単に考察している.