ガン効果発振の共振姿態の解析的理論と実験

生駒 俊明   英樹  柳井 久義  

誌名
電子情報通信学会論文誌 B   Vol.J52-B   No.10   pp.632-639
発行日: 1969/10/25
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Print ISSN: 0373-6105
論文種別: 論文・資料
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あらまし: 
共振器負荷で発振しているガンダイオードの大振幅動作機構を考察して,誘起された交流電圧によって電気二重層が制御されるというモデルを用いて発振特性を解析した.その結果いわゆるQuenched Domain Modeに対して発振出力,効率および周波数がダイオードの物理的性質,負荷条件およびバイアス電圧にどのように依存するかを明らかにし,GaAsを例として数値計算を行なった.共振姿態動作ではかなり広範囲に周波数同調が可能で,この間で出力もあまり減少しないことが明らかとなった.また過渡的な引き込み現象を考察して,共振姿態動作に引き込むための負荷回路条件を明らかにした.さらに実験的に電流波形を観測することによってこのモデルの妥当性を確かめ,周波数のバイアス依存性について,実験結果と理論が良く一致することが分かった.