マイクロ波領域における高周波トランジスタのh-パラメータとその測定

柳井 久義  椿 功  倉上 紀  木田 史子  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J51-C   No.4   pp.123-129
公開日: 1968/04/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文・資料
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本論文では,マイクロ波領域での高周波トランジスタのh-パラメータについて測定と理論の両面から考察してある.マイクロ波領域におけるh-パラメータは寄生素子の影響が大きく,従来真の高周波パラメータを得ることは非常に困難であった.われわれはこの寄生素子の影響を少なくするため,測定系をマイクロストリップ系にし,かつディスク形トランジスタ容器内部の構造を測定系とインピーダンス整合した構造にすることにより各種寄生素子の値を従来のトランジスタ容器(TO-18など)に比べておのおの1/7~1/10程度に減少させることができ,この結果測定値に含まれる寄生素子による影響はベース接地h11h21f=500~1,300MHz)において10%以下となりトランジスタの真の値に近いパラメータを得た.またこれと理論計算から求めた値との比較検討を行なうと寄生素子補正後の実測値と理論値との差はh11h21f=500~1,300MHz)において10%程度となり,さらにベース抵抗の検討などの結果から,このようなマイクロストリップライン測定システムおよびインピーダンス整合したディスク形容器がマイクロ波トランジスタの設計上および使用上非常に有効であり,またマイクロ波領域においても従来の動作理論を延長して扱い得ることがわかった.