ローレンツ力による半導体注入発光の変調

森川 滝太郎  神山 雅英  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J51-C   No.10   pp.431-438
公開日: 1968/10/25
Online ISSN: 
DOI: 
Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文・資料
専門分野: 
キーワード: 


本文: PDF(634.6KB)>>
論文を購入




あらまし: 
半導体注入発光で光がバルクを通過する際の吸収損失はきわめて大きいが,キャリヤ通路をローレンツ力によって変えて発光場所の分布に変化を加えれば,外部に出てくる発光量が増減し,変調がかかる.この方式の特長は,構成が単純で,発光効率の改善を付随させることができ,各種半導体素材の注入発光に原理を適用しうる点にある.理論的解析の結果,ホール効果とピンチ効果についてそれぞれ変調度と時間応答を与える表式が得られた.シリコンとガリウム砒素の試料についての実験でおのおの約15%の変調度と10-7-8secの時間応答を観測し,理論との妥当な一致を見た.この変調方式の応用として,磁界あるいは電流を光の媒介で測定することも考えられる.