アクティブ集積アンテナ用HySIC構造C帯W級GaN増幅器の試作

小渕 大輔  薮田 直人  成末 義哲  中岡 俊裕  川崎 繁男  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J104-C   No.2   pp.52-59
公開日: 2021/01/13
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
論文種別: 招待論文
専門分野: マイクロ波,ミリ波
キーワード: 
マイクロ波モノリシック集積回路,  化合物半導体,  マイクロ波無線電力伝送,  ワイヤレスセンサネットワーク,  

本文: FreePDF(48.4MB)


あらまし: 
高性能な化合物半導体の能動素子を,加工性に富み安価なSi基板上に実装することにより,非常にコンパクトで潜在的に安価な新しい高周波回路(ハイブリッド半導体集積回路:HySIC)を実現できる.例えば,Si基板上にGaN系能動素子を実装することにより,放射線に強い高周波電力増幅器を開発できる.そのようなHySIC増幅器は従来のマイクロ波モノリシック集積回路で作製するGaN増幅器と比較して,生産コストを低減することができる.更にSi-CMOSプロセスによりディジタル回路を作製することができるので,1枚のSi基板上にRF回路とディジタル回路を混載させることも可能である.本研究では,宇宙機でのマイクロ波電力伝送の応用に向けたアクティブ集積アンテナに装荷するHySIC構造のC帯W(ワット)級増幅器の設計,実装,実測について紹介する.