半導体基板の常温直接接合技術

重川 直輝  梁 剣波  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J103-C   No.7   pp.341-348
発行日: 2020/07/01
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
論文種別: 招待論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
常温直接接合,  ヘテロ接合,  多接合太陽電池,  ダイヤモンド直接接合,  

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あらまし: 
常温直接接合技術の一種である表面活性化接合法を用いることにより,様々な異種材料の接合界面が形成されている.我々は結晶成長技術では実現困難と考えられる異種半導体基板同士の直接接合,半導体とダイヤモンドの直接接合等を実現しそれらのデバイス応用可能性を探索している.本論文では接合後の熱処理による半導体/半導体接合界面の結晶性の改善効果(アモルファス層の再結晶化),電気特性の改善効果(界面準位密度の低減,界面抵抗の低減),化合物半導体/Si多接合太陽電池への応用,Si及びAlとダイヤモンドの直接接合の耐熱性解明の結果を議論し,今後の可能性を展望する.