車載応用次世代パワーデバイス―GaNパワーデバイスの挑戦―

加地 徹  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J103-C   No.7   pp.331-340
公開日: 2020/06/11
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
論文種別: 招待論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
EV,  パワーエレクトロニクス,  GaNパワーデバイス,  高速スイッチ,  オン抵抗,  

本文: FreePDF(1.3MB)


あらまし: 
GaNパワーデバイスは,自動車用途向けの次世代パワーデバイスとして適した特性を持つ.横型GaNデバイスの高速性能は,パワーモジュールのサイズと重量を削減し,縦型GaNデバイスの低オン抵抗性能はインバータの冷却負荷の低減に効果的である.横型GaNデバイスは実用化されており,現在システム研究が進行中である.一方,縦型GaNデバイスは要素技術開発の段階にあるが,必要な技術は準備されつつあり,次の課題はそれらを統合し性能を実証することにある.