無電解ニッケルめっきを用いた高い電気絶縁信頼性を示す有機インターポーザー微細配線形成技術

鳥羽 正也  満倉 一行  増子 崇  蔵渕 和彦  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J103-C   No.3   pp.160-165
公開日: 2020/02/17
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
論文種別: 特集論文 (電子回路実装技術と実装材料技術論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
有機インターポーザー,  感光性絶縁材料,  無電解ニッケルめっき,  電気絶縁性,  

本文: PDF(1.2MB)>>
論文を購入




あらまし: 
近年,情報通信機器の高速化に伴い,微細配線形成が可能な2.1D有機インターポーザーやファンアウトパッケージが注目されている.L/S=2/2μm以下の配線においては,微細形成歩留りの向上を期待できるトレンチ配線工法が提案されている.トレンチ配線におけるシード層形成においてはスパッタリング法が用いられるが,矩形トレンチパターン側壁のシード層膜厚が薄くなる傾向にある.その場合,配線の構成金属であるCuのイオンマイグレーションが生じやすくなり,絶縁材料の電気絶縁性低下が懸念される.そこで,無電解Ni-Bシード及び無電解Ni-Pキャップ層を形成したトレンチ配線工法を検討した.その結果,湿式の無電解めっきによって感光性絶縁材料のトレンチパターン側壁へのNiの均一成膜,Niの高い耐腐食性によりL/S=2/2μm以下のトレンチ配線において良好な電気絶縁性保持を確認できた.