100GBd超級光送信器実現に向けた超広帯域・低駆動電圧動作InP系IQ光変調器

小木曽 義弘  尾崎 常祐  上田 悠太  脇田 斉  金澤 慈  石川 光映  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J103-C   No.1   pp.61-68
公開日: 2019/12/13
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
論文種別: 論文
専門分野: レーザ・量子エレクトロニクス
キーワード: 
光変調器,  InP,  デジタルコヒーレント,  

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あらまし: 
通信容量の更なる増大に対応すべく,デジタルコヒーレント光通信においては更なる高ビットレート化が求められており,伝送距離の観点からデバイスの高ボーレート化技術に近年注目が集まっている.本研究では,IQ光変調器高速化のブレークスルー技術として,新たな半導体層構造と電極構造を組み合わせた超広帯域(〜80 GHz)且つ低電圧動作可能な(Vπ:〜1.5 V)光変調素子を提案し,その長期安定性含めた基本動作から100 GBdを超えるIQ光変調動作実証までを行った.更に,ドライバICとの一体集積により光等化処理を行わずに最大128 GBdまでのIQ光変調動作を世界で初めて成功させた.本論文では,その新規構造の特徴について述べるとともに,次世代100 GBd級光送信器に向けた課題等についても議論する.